SI3447BDV-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI3447BDV-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 6A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.1W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Ta) |
SI3447BDV-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI3447BDV-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
SI3447CDV-T1 VISHAY
VISHAY SOT-163
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP
VISHAY TSOP-6
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
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MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI3447BDV-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
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